EEF-HE0E221R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EEF-HE0E221R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EEF-HE0E221R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EEF-HE0E221R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EEF-HE0E221R
- Part Number:
- EEF-HE0E221R
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- CAP ALUM POLY 220UF 20% 2.5V SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23612 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EEF-HE0E221R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 2.5V |
| Rodzaj: | Polymer |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
| Seria: | SP-Cap HE |
| Ripple Current @ High Frequency: | 3A @ 100kHz |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 2917 (7343 Metric) |
| Inne nazwy: | PCE2125CT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.169" (4.30mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 12 mOhm |
| szczegółowy opis: | 220µF 2.5V Aluminum Polymer Capacitor 2917 (7343 Metric) 12 mOhm |
| Pojemność: | 220µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EEF-HE0E221R
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił