EDLRG105H3R6C jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EDLRG105H3R6C, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EDLRG105H3R6C przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EDLRG105H3R6C z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EDLRG105H3R6C
- Part Number:
- EDLRG105H3R6C
- Producent:
- Cornell Dubilier Electronics
- Opis:
- CAP 1F -20% +80% 3.6V T/H
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23635 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EDLRG105H3R6C.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 3.6V |
| Tolerancja: | -20%, +80% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.748" Dia (19.00mm) |
| Seria: | RG |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Can, Horizontal |
| Inne nazwy: | 338-3475 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Główny odstęp: | 0.787" (20.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.256" (6.50mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 20 Ohm @ 1kHz |
| szczegółowy opis: | 1F (EDLC) Supercapacitor 3.6V Radial, Can, Horizontal 20 Ohm @ 1kHz 2000 Hrs @ 85°C |
| Pojemność: | 1F |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EDLRG105H3R6C
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia