ECW-HA3C303J4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ECW-HA3C303J4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ECW-HA3C303J4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ECW-HA3C303J4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ECW-HA3C303J4
- Part Number:
- ECW-HA3C303J4
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- CAP FILM 0.03UF 5% 1.6KVDC RAD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42859 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ECW-HA3C303J4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | - |
| Tolerancja: | 0.03µF |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.689" (17.50mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.811" L x 0.421" W (20.60mm x 10.70mm) |
| Seria: | ECW-H(A) |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | High Frequency, Switching |
| Polaryzacja: | Radial |
| Inne nazwy: | ECWHA3C303J4 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Numer części producenta: | ECW-HA3C303J4 |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.650" (16.50mm) |
| cechy: | - |
| Rozszerzony opis: | 0.03µF ±5% Film Capacitor 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Średnica dielektryka: | Polypropylene (PP), Metallized |
| Opis: | CAP FILM 0.03UF 5% 1.6KVDC RAD |
| Obecna - Przeciek: | 1600V (1.6kV) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ECW-HA3C303J4
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia