ECS-1633-060-BN-TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ECS-1633-060-BN-TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ECS-1633-060-BN-TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ECS-1633-060-BN-TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ECS-1633-060-BN-TR
- Part Number:
- ECS-1633-060-BN-TR
- Producent:
- ECS Inc. International
- Opis:
- OSC XO 6.000MHZ CMOS SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25922 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ECS-1633-060-BN-TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | XO (Standard) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Shell Style: | 3.3V |
| Seria: | ECS-1633 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 4-SMD, No Lead |
| Wydajność: | Enable/Disable |
| Inne nazwy: | XC1939TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | ECS-1633-060-BN-TR |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.035" (0.90mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±50ppm |
| Częstotliwość - Wyjście 1: | 10µA |
| Częstotliwość: | 6MHz |
| Rozszerzony opis: | 6MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA Enable/Disable |
| Opis: | OSC XO 6.000MHZ CMOS SMD |
| Obecny - Dostawa (Max): | CMOS |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | 6mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ECS-1633-060-BN-TR
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia