ECH-U1H822JB5 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ECH-U1H822JB5, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ECH-U1H822JB5 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ECH-U1H822JB5 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ECH-U1H822JB5
- Part Number:
- ECH-U1H822JB5
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- CAP FILM 8200PF 5% 50VDC 1206
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 24605 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ECH-U1H822JB5.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 50V |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Tolerancja: | ±5% |
| Zakończenie: | Solder Pads |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Seria: | ECH-U(B) |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 1206 (3216 Metric) |
| Inne nazwy: | ECH-U1H822JB ECHU1H822JB PCF1023 PCF1023CT |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| cechy: | - |
| Materiał dielektryka: | Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked |
| szczegółowy opis: | 8200pF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked 1206 (3216 Metric) |
| Pojemność: | 8200pF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ECH-U1H822JB5
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił