E3Z-R81H jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla E3Z-R81H, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla E3Z-R81H przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup E3Z-R81H z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
E3Z-R81H
- Part Number:
- E3Z-R81H
- Producent:
- Omron Automation & Safety
- Opis:
- SENSOR OPTO REFL 4M PREWIRED MOD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36362 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- E3Z-R81H.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 12 V ~ 24 V |
| Seria: | E3Z |
| Metoda pomiaru: | Retroreflective |
| Zasięg: | 157.480" (4m) |
| Czas odpowiedzi: | 1ms |
| Konfiguracja wyjściowa: | PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable |
| Inne nazwy: | E3ZR81H |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 55°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Źródło światła: | Red (660nm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Stopień ochrony: | IEC IP67, IP69K |
| Metoda połączenia: | Cable |
| Typ regulacji: | Single-Turn |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do E3Z-R81H
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia