DXT2012P5-13 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DXT2012P5-13, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DXT2012P5-13 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DXT2012P5-13 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DXT2012P5-13
- Part Number:
- DXT2012P5-13
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56906 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DXT2012P5-13.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 60V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 250mV @ 500mA, 5A |
| Typ tranzystora: | PNP |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PowerDI™ 5 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 3.2W |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | PowerDI™ 5 |
| Inne nazwy: | DXT2012P5-13DKR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 120MHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5.5A 120MHz 3.2W Surface Mount PowerDI™ 5 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 2A, 1V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 20nA (ICBO) |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 5.5A |
| Podstawowy numer części: | DXT2012P5 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DXT2012P5-13
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia