DSS1NB32A223Q55B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DSS1NB32A223Q55B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DSS1NB32A223Q55B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DSS1NB32A223Q55B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DSS1NB32A223Q55B
- Part Number:
- DSS1NB32A223Q55B
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FILTER LC (T-TYPE) 22000PF TH
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30641 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DSS1NB32A223Q55B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 100V |
| wartości: | C = 22000pF |
| Rodzaj: | Low Pass |
| Technologia: | LC (T-Type) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.335" L x 0.138" W (8.50mm x 3.50mm) |
| Seria: | DSS1 |
| Resistance - Kanał (Ohm): | - |
| Package / Case: | Radial - 3 Leads |
| Inne nazwy: | Q11701551 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość: | 0.295" (7.50mm) |
| filtr Kolejność: | 3rd |
| Ochrona ESD: | No |
| szczegółowy opis: | LC (T-Type) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 22000pF 6A Radial - 3 Leads |
| Aktualny, bieżący: | 6A |
| Center / częstotliwość graniczna filtru: | - |
| tłumienie Wartość: | - |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DSS1NB32A223Q55B
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił