DSM2180F3-90K6 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DSM2180F3-90K6, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DSM2180F3-90K6 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DSM2180F3-90K6 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DSM2180F3-90K6
- Part Number:
- DSM2180F3-90K6
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IC FLASH 1M PARALLEL 52PLCC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41211 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DSM2180F3-90K6.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | FLASH |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 52-PLCC (19.1x19.1) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 52-LCC (J-Lead) |
| Inne nazwy: | 497-1335-5 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 1Mb (128K x 8) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | FLASH |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | FLASH Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 90ns 52-PLCC (19.1x19.1) |
| Podstawowy numer części: | DSM2180 |
| Czas dostępu: | 90ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DSM2180F3-90K6
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia