DSC8122DI2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DSC8122DI2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DSC8122DI2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DSC8122DI2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DSC8122DI2
- Part Number:
- DSC8122DI2
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- OSC MEMS BLANK 2.5X2.0 LVPECL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37612 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.DSC8122DI2.pdf2.DSC8122DI2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.25 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Seria: | DSC8122 |
| oceny: | AEC-Q100 |
| Programowalny Rodzaj: | Blank (User Must Program) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 6-SMD, No Lead |
| Wydajność: | LVPECL |
| Inne nazwy: | 576-4727 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość: | 0.035" (0.90mm) |
| Funkcjonować: | Enable/Disable |
| Stabilność częstotliwości (ogółem): | ±25ppm |
| Stabilność częstotliwości: | - |
| szczegółowy opis: | XO (Standard) LVPECL 10MHz ~ 460MHz Programmable Oscillator 2.25 V ~ 3.6 V Enable/Disable 6-SMD, No Lead |
| Obecny - Dostawa (Max): | 58mA |
| Rezonator bazowy: | MEMS |
| Dostępne Zakres częstotliwości: | 10MHz ~ 460MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DSC8122DI2
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia