DS2227-070 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DS2227-070, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DS2227-070 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DS2227-070 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DS2227-070
- Part Number:
- DS2227-070
- Producent:
- Maxim Integrated
- Opis:
- IC NVSRAM 4M PARALLEL 72SIMM
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 38595 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DS2227-070.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 70ns |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 72-SIMM |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 72-SIMM |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Socket |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 4Mb (128K x 32, 256K x 16, 512K x 8) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | NVSRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (128K x 32, 256K x 16, 512K x 8) Parallel 70ns 72-SIMM |
| Podstawowy numer części: | DS2227 |
| Czas dostępu: | 70ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DS2227-070
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen