DS1110E-500+ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DS1110E-500+, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DS1110E-500+ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DS1110E-500+ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DS1110E-500+
- Part Number:
- DS1110E-500+
- Producent:
- Maxim Integrated
- Opis:
- IC DELAY LN 10TAP 500NS 14TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29367 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DS1110E-500+.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Dotknij Przyrost: | 50ns |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-TSSOP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Ilość kranów / Schody: | 10 |
| Liczba niezależnych Opóźnienia: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Nonprogrammable |
| szczegółowy opis: | Delay Line IC Nonprogrammable 10 Tap 500ns 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Opóźnienie 1st Tap: | 50ns |
| Podstawowy numer części: | DS1110 |
| Dostępne Wszystkich Opóźnienia: | 500ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DS1110E-500+
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia