DRV8312DDW jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DRV8312DDW, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DRV8312DDW przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DRV8312DDW z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DRV8312DDW
- Part Number:
- DRV8312DDW
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC BRIDGE DRIVER PAR 44HTSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25998 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DRV8312DDW.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10.8 V ~ 13.2 V |
| Napięcie - Obciążenie: | 0 V ~ 52.5 V |
| Technologia: | Power MOSFET |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 44-HTSSOP |
| Seria: | - |
| Rds On (Typ): | 80 mOhm LS, 80 mOhm HS |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 44-TSSOP (0.244", 6.20mm Width) Exposed Pad |
| Konfiguracja wyjściowa: | Half Bridge (3) |
| Inne nazwy: | 296-27707-5 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Typ obciążenia: | Inductive |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | PWM |
| cechy: | Bootstrap Circuit, Status Flag |
| Ochrona usterek: | Current Limiting, Over Temperature, Short Circuit, UVLO |
| szczegółowy opis: | Half Bridge (3) Driver DC Motors, General Purpose Power MOSFET 44-HTSSOP |
| Obecny - Szczytowa wydajność: | 6.5A |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 3.5A |
| Podstawowy numer części: | DRV8312 |
| Aplikacje: | DC Motors, General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DRV8312DDW
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU