DRV5055A2QDBZR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DRV5055A2QDBZR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DRV5055A2QDBZR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DRV5055A2QDBZR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DRV5055A2QDBZR
- Part Number:
- DRV5055A2QDBZR
- Producent:
- TI
- Opis:
- HALL EFFECT SENSOR
- Wielkość zbiorów:
- 47903 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DRV5055A2QDBZR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.63 V, 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | Hall Effect |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Seria: | - |
| Zakres pomiarowy: | ±42mT |
| Rozkład: | - |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Typ wyjścia: | Analog Voltage |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| cechy: | Temperature Compensated |
| szczegółowy opis: | Hall Effect Sensor Single Axis |
| Obecny - Dostawa (Max): | 10mA |
| Obecny - Wyjście (Max): | 1mA |
| Pasmo: | 20kHz |
| Oś: | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DRV5055A2QDBZR
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen