DRV10964FFDSNT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DRV10964FFDSNT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DRV10964FFDSNT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DRV10964FFDSNT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DRV10964FFDSNT
- Part Number:
- DRV10964FFDSNT
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC BLDC MOTOR DRIVER 10SON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38879 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DRV10964FFDSNT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.1 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Obciążenie: | 2.1 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | Power MOSFET |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-SON (3x3) |
| Krok Rozdzielczość: | - |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 10-UFDFN Exposed Pad |
| Konfiguracja wyjściowa: | Half Bridge (3) |
| Inne nazwy: | 296-44065-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Typ silnika - stepper: | - |
| Typ silnika - AC, DC: | Brushless DC (BLDC) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | PWM |
| Funkcjonować: | Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage |
| szczegółowy opis: | Motor Driver Power MOSFET PWM 10-SON (3x3) |
| Obecny - Wyjście: | 500mA |
| Aplikacje: | Fan Motor Driver |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DRV10964FFDSNT
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił