DRA3114E0L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DRA3114E0L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DRA3114E0L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DRA3114E0L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DRA3114E0L
- Part Number:
- DRA3114E0L
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29082 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DRA3114E0L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Typ tranzystora: | PNP - Pre-Biased |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SSSMini3-F2-B |
| Seria: | - |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2): | 10 kOhms |
| Rezystor - Podstawa (R1): | 10 kOhms |
| Moc - Max: | 100mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-723 |
| Inne nazwy: | DRA3114E0L-ND DRA3114E0LTR |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 100mW Surface Mount SSSMini3-F2-B |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 500nA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 100mA |
| Podstawowy numer części: | DRA3114 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DRA3114E0L
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS