DMC62D0SVQ-7 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DMC62D0SVQ-7, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DMC62D0SVQ-7 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DMC62D0SVQ-7 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DMC62D0SVQ-7
- Part Number:
- DMC62D0SVQ-7
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35775 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DMC62D0SVQ-7.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-563 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 1.7 Ohm @ 500mA, 10V, 6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Moc - Max: | 510mW (Ta) |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | SOT-563, SOT-666 |
| Inne nazwy: | DMC62D0SVQ-7DICT |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 30pF @ 25V, 26pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel Complementary |
| Cecha FET: | Standard |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 60V, 50V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 60V, 50V 571mA (Ta), 304mA (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount SOT-563 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 571mA (Ta), 304mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DMC62D0SVQ-7
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen