DMA50P1200HR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DMA50P1200HR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DMA50P1200HR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DMA50P1200HR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DMA50P1200HR
- Part Number:
- DMA50P1200HR
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- DIODE RECTIFIER 1.2KV 50A TO247
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29634 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DMA50P1200HR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.31V @ 50A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1200V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | ISO247 |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| Diode Configuration: | 1 Pair Series Connection |
| szczegółowy opis: | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200V 50A Through Hole TO-247-3 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 40µA @ 1200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 50A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DMA50P1200HR
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC