DMA30E1800HA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DMA30E1800HA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DMA30E1800HA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DMA30E1800HA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DMA30E1800HA
- Part Number:
- DMA30E1800HA
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- DIODE GEN PURP 1800V 30A TO247
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31772 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DMA30E1800HA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 30A |
| Napięcie - Podział: | TO-247 |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tube |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | 10pF @ 400V, 1MHz |
| Polaryzacja: | TO-247-2 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | DMA30E1800HA |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 1800V (1.8kV) 30A Through Hole TO-247 |
| Diode Configuration: | 40µA @ 1800V |
| Opis: | DIODE GEN PURP 1800V 30A TO247 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.25V @ 30A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 1800V (1.8kV) |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DMA30E1800HA
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe