DM74LS30N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DM74LS30N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DM74LS30N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DM74LS30N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DM74LS30N
- Part Number:
- DM74LS30N
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC GATE NAND 1CH 8-INP 14DIP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 55066 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DM74LS30N.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-PDIP |
| Seria: | 74LS |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Inne nazwy: | 74LS30 74LS30N |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Liczba wejść: | 8 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 20ns @ 5V, 50pF |
| Logic Type: | NAND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.8V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 2V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | NAND Gate IC 1 Channel 14-PDIP |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 400µA, 8mA |
| Podstawowy numer części: | 74LS30 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DM74LS30N
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen