DGS10-018AS-TUBE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DGS10-018AS-TUBE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DGS10-018AS-TUBE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DGS10-018AS-TUBE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DGS10-018AS-TUBE
- Part Number:
- DGS10-018AS-TUBE
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 180V 15A TO263AB
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39126 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DGS10-018AS-TUBE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Schottky |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 15A |
| Napięcie - Podział: | TO-263AB |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tube |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | - |
| Polaryzacja: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | DGS10-018AS-TUBE |
| Rozszerzony opis: | Diode Schottky 180V 15A Surface Mount TO-263AB |
| Diode Configuration: | 1.3mA @ 180V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 180V 15A TO263AB |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.1V @ 5A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 180V |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DGS10-018AS-TUBE
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
DGS17-030CS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 300V 29A TO252AA | Zapytanie ofertowe |
|
DGS3-018AS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 180V 7A TO252AA | Zapytanie ofertowe |
|
DGS17-03CS | IXYS Corporation | DIODE SCHOTTKY 300V 29A TO252AA | Zapytanie ofertowe |
 |
DGS10-030A | IXYS | DIODE SCHOTTKY 300V 11A TO220AC | Zapytanie ofertowe |
|
DGS20-018A | IXYS | DIODE SCHOTTKY 180V 23A TO220AC | Zapytanie ofertowe |
 |
DGS10-018AS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 180V 15A TO263AB | Zapytanie ofertowe |
|
DGS19-025CS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 250V 31A TO252AA | Zapytanie ofertowe |
|
DGS3-030AS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 300V 5A TO252AA | Zapytanie ofertowe |
|
DGS10-025AS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 250V 12A TO263AB | Zapytanie ofertowe |
|
DGS19-025AS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 250V 18A TO252AA | Zapytanie ofertowe |
|
DGS15-018CS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 180V 24A TO252AA | Zapytanie ofertowe |
|
DGS10-025A | IXYS | DIODE SCHOTTKY 250V 12A TO220AC | Zapytanie ofertowe |
|
DGS10-018A | IXYS | DIODE SCHOTTKY 180V 15A TO220AC | Zapytanie ofertowe |
|
DGS3-025AS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 250V 5.4A TO252AA | Zapytanie ofertowe |
|
DGS20-018AS-TUBE | IXYS Corporation | DIODE SCHOTTKY 180V 23A TO263AB | Zapytanie ofertowe |
|
DGS20-018AS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 180V 23A TO263AB | Zapytanie ofertowe |
 |
DGS34-1H202500 | SICK | 3.5IN INCREMENTAL ENCODER | Zapytanie ofertowe |
|
DGS20-025AS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 250V 18A TO263AB | Zapytanie ofertowe |
|
DGS20-025A | IXYS | DIODE SCHOTTKY 250V 18A TO220AC | Zapytanie ofertowe |
|
DGS13-025CS | IXYS | DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia