DGD1503S8-13 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DGD1503S8-13, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DGD1503S8-13 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DGD1503S8-13 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DGD1503S8-13
- Part Number:
- DGD1503S8-13
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- IC GATE DRVR HALF BRIDGE SO-8
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38536 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DGD1503S8-13.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 20 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 70ns, 35ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | DGD1503S8-13DITR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | 0.8V, 2.5V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Non-Inverting |
| Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap): | 250V |
| Typ bramy: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Konfiguracja napędzana: | Half-Bridge |
| szczegółowy opis: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 290mA, 600mA |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Independent |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DGD1503S8-13
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił