DG4157EDN-T1-GE4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DG4157EDN-T1-GE4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DG4157EDN-T1-GE4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DG4157EDN-T1-GE4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DG4157EDN-T1-GE4
- Part Number:
- DG4157EDN-T1-GE4
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- IC ANALOG SWITCH 6MICRODFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59491 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DG4157EDN-T1-GE4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | - |
| Czas przełączania (Ton, Toff) (maks.): | 32ns, 28ns |
| Przełącznik: | SPDT |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-UDFN (1x1) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-XFDFN |
| Inne nazwy: | DG4157EDN-T1-GE4-ND DG4157EDN-T1-GE4TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Oporność na terenie (maks.): | 1.2 Ohm |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | 2:1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 1 Circuit IC Switch 2:1 1.2 Ohm 6-UDFN (1x1) |
| Prąd - wyciek (IS (wyłączony)) (maks.): | 3nA |
| Przesłuchy: | -41dB @ 10MHz |
| Wtrysk ładowania: | -5pC |
| Dopasowanie kanału do kanału (ΔRon): | 120 mOhm (Max) |
| Kanał (Capacitance) (CS (wyłączone), CD (wyłączone)): | - |
| 3dB Pasmo: | 152MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DG4157EDN-T1-GE4
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego