DF600R12IP4DBOSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DF600R12IP4DBOSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DF600R12IP4DBOSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DF600R12IP4DBOSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DF600R12IP4DBOSA1
- Part Number:
- DF600R12IP4DBOSA1
- Opis:
- MOD IGBT 600A PRIME2-1
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49775 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DF600R12IP4DBOSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.05V @ 15V, 600A |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Module |
| Seria: | PrimePack™2 |
| Moc - Max: | 3350W |
| Package / Case: | Module |
| Inne nazwy: | DF600R12IP4D SP000721118 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C |
| Termistor NTC: | Yes |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 37nF @ 25V |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | Trench Field Stop |
| szczegółowy opis: | IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 600A 3350W Chassis Mount Module |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 5mA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 600A |
| Konfiguracja: | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DF600R12IP4DBOSA1
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia