DE2F3KH103MB3B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DE2F3KH103MB3B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DE2F3KH103MB3B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DE2F3KH103MB3B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DE2F3KH103MB3B
- Part Number:
- DE2F3KH103MB3B
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CAP CER 10000PF 250VAC RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31068 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 250V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Grubość (maks): | - |
| Współczynnik temperaturowy: | F |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.630" Dia (16.00mm) |
| Seria: | KH |
| oceny: | X1, Y2 |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Disc |
| Inne nazwy: | 490-7919 DE2F3KH103MB3B-ND |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Style: | Formed Leads |
| Główny odstęp: | 0.295" (7.50mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.748" (19.00mm) |
| cechy: | High Voltage |
| szczegółowy opis: | 10000pF ±20% 250V Ceramic Capacitor F Radial, Disc |
| Pojemność: | 10000pF |
| Aplikacje: | Safety |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DE2F3KH103MB3B
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia