DCP4P042006DD2JSSD jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DCP4P042006DD2JSSD, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DCP4P042006DD2JSSD przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DCP4P042006DD2JSSD z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DCP4P042006DD2JSSD
- Part Number:
- DCP4P042006DD2JSSD
- Producent:
- WIMA
- Opis:
- CAP FILM 2UF 5% 1100VDC RAD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56085 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DCP4P042006DD2JSSD.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 1100V (1.1kV) |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Tolerancja: | ±5% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.240" L x 0.512" W (31.50mm x 13.00mm) |
| Seria: | - |
| oceny: | AEC-Q200 |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | 1928-1024 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Główny odstęp: | 1.083" (27.50mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.945" (24.00mm) |
| cechy: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 36 mOhms |
| Materiał dielektryka: | Polypropylene (PP), Metallized |
| szczegółowy opis: | 2µF Film Capacitor 1100V (1.1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| Pojemność: | 2µF |
| Aplikacje: | Automotive; DC Link, DC Filtering |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DCP4P042006DD2JSSD
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia