DAC101C081CISD/NOPB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DAC101C081CISD/NOPB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DAC101C081CISD/NOPB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DAC101C081CISD/NOPB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DAC101C081CISD/NOPB
- Part Number:
- DAC101C081CISD/NOPB
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC DAC 10BIT MICROPWR I2C 6WSON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28952 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DAC101C081CISD/NOPB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa Digital: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Dostawa, analogowe: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-WSON (2.2x2.5) |
| rozliczania czasu: | 6µs |
| Seria: | - |
| Typ referencyjny: | Supply |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | Voltage - Buffered |
| Inne nazwy: | 296-45491-2 DAC101C081CISD/NOPBTR DAC101C081CISD/NOPBTR-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba konwerterów D / A: | 1 |
| Liczba bitów: | 10 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| INL / DNL (LSB): | +0.6/-0.4, +0.12/-0.04 |
| Wyjście różnicowe: | No |
| szczegółowy opis: | 10 Bit Digital to Analog Converter 1 6-WSON (2.2x2.5) |
| Data Interface: | I²C |
| Podstawowy numer części: | DAC101C081 |
| Architektura: | String DAC |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DAC101C081CISD/NOPB
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia