D901S45T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla D901S45T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla D901S45T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup D901S45T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
D901S45T
- Part Number:
- D901S45T
- Opis:
- DIODE GEN PURP 4.5KV 1225A
- Wielkość zbiorów:
- 46882 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- D901S45T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 3.5V @ 2500A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 4500V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | DO-200AD |
| Inne nazwy: | SP000091324 |
| Temperatura pracy - złącze: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 4500V 1225A Chassis Mount |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 250mA @ 4500V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1225A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do D901S45T
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia