CV201210-1R8K jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CV201210-1R8K, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CV201210-1R8K przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CV201210-1R8K z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CV201210-1R8K
- Part Number:
- CV201210-1R8K
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- FIXED IND 1.8UH 50MA 600 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57241 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.CV201210-1R8K.pdf2.CV201210-1R8K.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Multilayer |
| Tolerancja: | ±10% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0805 (2012 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | CV201210 |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 45 @ 10MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 10MHz |
| Indukcyjność: | 1.8µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.041" (1.05mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 55MHz |
| szczegółowy opis: | 1.8µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 600 mOhm Max 0805 (2012 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 600 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 50mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CV201210-1R8K
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash