CTX10-3A-R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CTX10-3A-R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CTX10-3A-R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CTX10-3A-R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CTX10-3A-R
- Part Number:
- CTX10-3A-R
- Producent:
- Bussmann (Eaton)
- Opis:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 9.68UH SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50708 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CTX10-3A-R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±25% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.550" L x 0.550" W (13.97mm x 13.97mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | OCTA-PAC® PLUS |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | CTX10-3A CTX10-3A-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba zwojów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indukcyjność - połączone szeregowo: | 38.7µH |
| Indukcyjność - połączone równolegle: | 9.68µH |
| Wysokość: | 0.190" (4.83mm) |
| szczegółowy opis: | Unshielded 2 Coil Inductor Array 38.7µH Inductance - Connected in Series 9.68µH Inductance - Connected in Parallel 32 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 3.64A Nonstandard |
| Oporność DC (DCR) - Seria: | 126 mOhm Max |
| Opór DC (DCR) - równoległy: | 32 mOhm Max |
| Aktualne nasycenie - serie: | 1.5A |
| Obecne nasycenie - równolegle: | 3A |
| Current Rating - Seria: | 1.82A |
| Współczynnik natężenia prądu - równoległy: | 3.64A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CTX10-3A-R
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia