CTA06-1200BWPT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CTA06-1200BWPT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CTA06-1200BWPT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CTA06-1200BWPT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CTA06-1200BWPT
- Part Number:
- CTA06-1200BWPT
- Producent:
- Crydom
- Opis:
- TRIAC ALTERNISTOR 1.2KV TO220AB
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50418 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CTA06-1200BWPT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 1.2kV |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 1.3V |
| triaka: | Alternistor - Snubberless |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AB |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | TRIAC Alternistor - Snubberless 1.2kV 6A Through Hole TO-220AB |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 6A |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 60A, 63A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 50mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 50mA |
| Konfiguracja: | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CTA06-1200BWPT
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen