CSTNE10M0G55A000R0 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CSTNE10M0G55A000R0, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CSTNE10M0G55A000R0 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CSTNE10M0G55A000R0 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CSTNE10M0G55A000R0
- Part Number:
- CSTNE10M0G55A000R0
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CER RES 10.0000MHZ 33PF SMD AUTO
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34210 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.CSTNE10M0G55A000R0.pdf2.CSTNE10M0G55A000R0.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Ceramic |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.051" W (3.20mm x 1.30mm) |
| Seria: | CERALOCK® CSTNE |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 3-SMD, Non-Standard |
| Inne nazwy: | 490-17939-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Impedancja: | 40 Ohms |
| Wysokość: | 0.032" (0.80mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±0.5% |
| Stabilność częstotliwości: | ±0.2% |
| Częstotliwość: | 10MHz |
| cechy: | Built in Capacitor |
| szczegółowy opis: | 10MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 33pF ±0.2% 40 Ohms -40°C ~ 125°C Surface Mount |
| Pojemność: | 33pF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CSTNE10M0G55A000R0
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił