CN5179 BK TIN/LEAD jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CN5179 BK TIN/LEAD, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CN5179 BK TIN/LEAD przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CN5179 BK TIN/LEAD z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CN5179 BK TIN/LEAD
- Part Number:
- CN5179 BK TIN/LEAD
- Producent:
- Central Semiconductor
- Opis:
- DIODE MULTI CHIP 20V DO-35
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 54287 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CN5179 BK TIN/LEAD.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 3.7V @ 100mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 20V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-35 |
| Prędkość: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Seria: | - |
| Package / Case: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Inne nazwy: | CN5179 BK TIN/LEAD-ND CN5179BKTIN/LEAD Q10058379 |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 20V Through Hole DO-35 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 10µA @ 20V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | - |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CN5179 BK TIN/LEAD
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny