CN5179 BK TIN/LEAD متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CN5179 BK TIN/LEAD، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CN5179 BK TIN/LEAD عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CN5179 BK TIN/LEAD مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CN5179 BK TIN/LEAD
- رقم القطعة:
- CN5179 BK TIN/LEAD
- الصانع:
- Central Semiconductor
- وصف:
- DIODE MULTI CHIP 20V DO-35
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 54287 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CN5179 BK TIN/LEAD.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 3.7V @ 100mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 20V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-35 |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | - |
| حزمة / كيس: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| اسماء اخرى: | CN5179 BK TIN/LEAD-ND CN5179BKTIN/LEAD Q10058379 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 20V Through Hole DO-35 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 20V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | - |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCN5179 BK TIN/LEAD
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي