CLA30E1200HB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CLA30E1200HB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CLA30E1200HB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CLA30E1200HB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CLA30E1200HB
- Part Number:
- CLA30E1200HB
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- THYRISTOR PHASE 1200V TO-247AD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33782 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CLA30E1200HB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Na członkowskim (VTM) (max): | 1.56V |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 1.2kV |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 1.3V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-247AD |
| Seria: | - |
| Rodzaj SCR: | Standard Recovery |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SCR 1.2kV 47A Standard Recovery Through Hole TO-247AD |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 47A |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 30A |
| Obecny - Off State (max): | 10µA |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 300A, 325A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 60mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 28mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CLA30E1200HB
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen