CIGT201208EHR47MNE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CIGT201208EHR47MNE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CIGT201208EHR47MNE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CIGT201208EHR47MNE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CIGT201208EHR47MNE
- Part Number:
- CIGT201208EHR47MNE
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- FIXED IND
- Wielkość zbiorów:
- 40327 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CIGT201208EHR47MNE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 0805 (2012 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.080" L x 0.050" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Seria: | * |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 0805 (2012 Metric) |
| Inne nazwy: | 1276-6887-2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | CIGT201208EHR47MNE |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.031" (0.80mm) |
| Rozszerzony opis: | Inductor 0805 (2012 Metric) |
| Opis: | FIXED IND |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CIGT201208EHR47MNE
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia