CIB41P800NE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CIB41P800NE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CIB41P800NE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CIB41P800NE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CIB41P800NE
- Part Number:
- CIB41P800NE
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- FERRITE BEAD 80 OHM 1806 1LN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 51318 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CIB41P800NE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.177" L x 0.063" W (4.50mm x 1.60mm) |
| Seria: | CIB41 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 1806 (4516 Metric) |
| Inne nazwy: | 1276-6362-1 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba linii: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 80 Ohms @ 100MHz |
| Wysokość (max): | 0.071" (1.80mm) |
| Rodzaj filtra: | - |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 30 mOhm |
| Karta Grubość (mm): | 1A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CIB41P800NE
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia