CI100505-8N2J jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CI100505-8N2J, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CI100505-8N2J przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CI100505-8N2J z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CI100505-8N2J
- Part Number:
- CI100505-8N2J
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- FIXED IND 8.2NH 250MA 280 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35636 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CI100505-8N2J.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Multilayer |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0402 (1005 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | CI100505 |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 8 @ 100MHz |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 0402 (1005 Metric) |
| Inne nazwy: | CI100505-8N2JDKR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ceramic |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100MHz |
| Indukcyjność: | 8.2nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.022" (0.55mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 3.6GHz |
| szczegółowy opis: | 8.2nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 280 mOhm Max 0402 (1005 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 280 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 250mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CI100505-8N2J
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia