CGBDT1X5R0G105M022BC jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CGBDT1X5R0G105M022BC, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CGBDT1X5R0G105M022BC przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CGBDT1X5R0G105M022BC z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CGBDT1X5R0G105M022BC
- Part Number:
- CGBDT1X5R0G105M022BC
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- CAP CER 1UF 4V X5R 0204
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34898 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.CGBDT1X5R0G105M022BC.pdf2.CGBDT1X5R0G105M022BC.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 4V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Grubość (maks): | 0.009" (0.22mm) |
| Współczynnik temperaturowy: | X5R |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.020" L x 0.039" W (0.52mm x 1.00mm) |
| Seria: | CGBDT |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0204 (0610 Metric) |
| Inne nazwy: | 445-172925-2 CGBDT1X5R0G105MT00NN |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Style: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Low ESL (Reverse Geometry), Low Profile |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 1µF ±20% 4V Ceramic Capacitor X5R 0204 (0610 Metric) |
| Pojemność: | 1µF |
| Aplikacje: | Bypass, Decoupling |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CGBDT1X5R0G105M022BC
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC