CGA5L3X7R2E104M160AE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CGA5L3X7R2E104M160AE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CGA5L3X7R2E104M160AE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CGA5L3X7R2E104M160AE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CGA5L3X7R2E104M160AE
- Part Number:
- CGA5L3X7R2E104M160AE
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- CAP CER 0.1UF 250V X7R 1206
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59247 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 250V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Grubość (maks): | 0.071" (1.80mm) |
| Współczynnik temperaturowy: | X7R |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Seria: | CGA |
| oceny: | AEC-Q200 |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 1206 (3216 Metric) |
| Inne nazwy: | 445-7976-6 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 40 Weeks |
| Lead Style: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Soft Termination |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 0.1µF ±20% 250V Ceramic Capacitor X7R 1206 (3216 Metric) |
| Pojemność: | 0.1µF |
| Aplikacje: | Automotive, Boardflex Sensitive |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CGA5L3X7R2E104M160AE
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia