CDCLVD1212RHAT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CDCLVD1212RHAT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CDCLVD1212RHAT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CDCLVD1212RHAT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CDCLVD1212RHAT
- Part Number:
- CDCLVD1212RHAT
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC CLK BUFFER 2:12 800MHZ 40VQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27765 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CDCLVD1212RHAT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.375 V ~ 2.625 V |
| Rodzaj: | Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 40-VQFN (6x6) |
| Seria: | - |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 2:12 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 40-VFQFN Exposed Pad |
| Wydajność: | LVDS |
| Inne nazwy: | 296-28233-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | LVCMOS, LVDS, LVPECL |
| Częstotliwość - Max: | 800MHz |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | Yes/Yes |
| szczegółowy opis: | Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer IC 2:12 800MHz 40-VFQFN Exposed Pad |
| Podstawowy numer części: | CDCLVD1212 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CDCLVD1212RHAT
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił