CD74HCT563MG4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CD74HCT563MG4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CD74HCT563MG4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CD74HCT563MG4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CD74HCT563MG4
- Part Number:
- CD74HCT563MG4
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC LATCH LOG OCT INV 3ST 20SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30372 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CD74HCT563MG4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-SOIC |
| Seria: | 74HCT |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Typ wyjścia: | Tri-State |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Logic Type: | D-Type Transparent Latch |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| niezależne obwody: | 1 |
| szczegółowy opis: | D-Type Transparent Latch 1 Channel 8:8 IC Tri-State 20-SOIC |
| Opóźnienie - Rozmnażanie: | 12ns |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 6mA, 6mA |
| Obwód: | 8:8 |
| Podstawowy numer części: | 74HCT563 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CD74HCT563MG4
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia