CBR1A-080 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CBR1A-080, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CBR1A-080 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CBR1A-080 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CBR1A-080
- Part Number:
- CBR1A-080
- Producent:
- Central Semiconductor
- Opis:
- RECT BRIDGE 1.0A 800V A CASE
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20503 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CBR1A-080.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 800V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1V @ 1A |
| Technologia: | Standard |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | A Case |
| Seria: | - |
| Package / Case: | 4-Circular, A Case |
| Inne nazwy: | CBR1A-080 PBFREE |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Single Phase |
| szczegółowy opis: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole A Case |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 10µA @ 800V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CBR1A-080
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego