CAT5111VI-10-T3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CAT5111VI-10-T3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CAT5111VI-10-T3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CAT5111VI-10-T3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CAT5111VI-10-T3
- Part Number:
- CAT5111VI-10-T3
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC POT DIGITL 10K 100TAP 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52948 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CAT5111VI-10-T3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.5 V ~ 6 V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Współczynnik temperaturowy (Typ): | 300 ppm/°C |
| Stożek: | Linear |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | - |
| Odporność - Wiper (Ohms) (Typ): | - |
| Oporność (Ohm): | 10k |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | 5111VI-10-TE13 CAT5111VI-10-T3TR CAT5111VI-10-TE13 CAT5111VI-10-TE13TR CAT5111VI-10-TE13TR-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kranów: | 100 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | Up/Down (U/D, INC, CS) |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Digital Potentiometer 10k Ohm 1 Circuit 100 Taps Up/Down (U/D, INC, CS) Interface 8-SOIC |
| Konfiguracja: | Potentiometer |
| Podstawowy numer części: | CAT5111 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CAT5111VI-10-T3
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia