CAS300M12BM2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CAS300M12BM2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CAS300M12BM2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CAS300M12BM2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CAS300M12BM2
- Part Number:
- CAS300M12BM2
- Producent:
- Cree Wolfspeed
- Opis:
- MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35074 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CAS300M12BM2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 15mA (Typ) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Module |
| Seria: | Z-FET™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 5.7 mOhm @ 300A, 20V |
| Moc - Max: | 1660W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Module, Screw Terminals |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 52 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 11700pF @ 600V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 1025nC @ 20V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Cecha FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 423A (Tc) 1660W Chassis Mount Module |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 423A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CAS300M12BM2
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku