CA0612JRNPO9BN271 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CA0612JRNPO9BN271, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CA0612JRNPO9BN271 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CA0612JRNPO9BN271 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CA0612JRNPO9BN271
- Part Number:
- CA0612JRNPO9BN271
- Producent:
- Yageo
- Opis:
- CAP ARRAY 270PF 50V NPO 0612
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38057 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CA0612JRNPO9BN271.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 50V |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | C0G, NP0 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Seria: | CA |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0612 (1632 Metric) |
| Ilość Kondensatory: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 36 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.035" (0.90mm) |
| Materiał dielektryka: | Ceramic |
| szczegółowy opis: | 270pF Isolated Capacitor 4 Array 50V C0G, NP0 0612 (1632 Metric) |
| Rodzaj obwodu: | Isolated |
| Pojemność: | 270pF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CA0612JRNPO9BN271
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia