C8051T610-GQR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla C8051T610-GQR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla C8051T610-GQR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup C8051T610-GQR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
C8051T610-GQR
- Part Number:
- C8051T610-GQR
- Producent:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Opis:
- IC MCU 8BIT 16KB OTP 32LQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28104 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.C8051T610-GQR.pdf2.C8051T610-GQR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-LQFP (7x7) |
| Prędkość: | 25MHz |
| Seria: | C8051T61x |
| Wielkość pamięci RAM: | 1.25K x 8 |
| Typ pamięci programu: | OTP |
| Rozmiar pamięci programu: | 16KB (16K x 8) |
| Peryferia: | POR, PWM, Temp Sensor, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 32-LQFP |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 29 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | 8051 C8051T61x Microcontroller IC 8-Bit 25MHz 16KB (16K x 8) OTP 32-LQFP (7x7) |
| Konwertery danych: | A/D 21x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 8-Bit |
| Core Processor: | 8051 |
| Łączność: | SMBus (2-Wire/I²C), SPI, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do C8051T610-GQR
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił