C3D04060E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla C3D04060E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla C3D04060E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup C3D04060E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
C3D04060E
- Part Number:
- C3D04060E
- Producent:
- Cree Wolfspeed
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43215 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- C3D04060E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.7V @ 4A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 600V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-252-2 |
| Prędkość: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Seria: | Z-Rec® |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 0ns |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 39 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Silicon Carbide Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 13.5A (DC) Surface Mount TO-252-2 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 50µA @ 600V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 13.5A (DC) |
| Pojemność @ VR F: | 251pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do C3D04060E
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen