C2012C0G1H682J/1.25 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla C2012C0G1H682J/1.25, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla C2012C0G1H682J/1.25 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup C2012C0G1H682J/1.25 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
C2012C0G1H682J/1.25
- Part Number:
- C2012C0G1H682J/1.25
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- CAP CER 6800PF 50V C0G 0805
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 21577 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.C2012C0G1H682J/1.25.pdf2.C2012C0G1H682J/1.25.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 50V |
| Tolerancja: | ±5% |
| Grubość (maks): | 0.057" (1.45mm) |
| Współczynnik temperaturowy: | C0G, NP0 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Seria: | C |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| Inne nazwy: | 445-1335-2 445-7516-2 445-7516-2-ND C2012C0G1H682J C2012C0G1H682J-ND C2012C0G1H682JT C2012C0G1H682JT-ND C2012C0G1H682JT000N C2012COG1H682J |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Style: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 6800pF ±5% 50V Ceramic Capacitor C0G, NP0 0805 (2012 Metric) |
| Pojemność: | 6800pF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do C2012C0G1H682J/1.25
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia