C18BL103X-4UN-X0B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla C18BL103X-4UN-X0B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla C18BL103X-4UN-X0B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup C18BL103X-4UN-X0B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
C18BL103X-4UN-X0B
- Part Number:
- C18BL103X-4UN-X0B
- Producent:
- Dielectric Laboratories
- Opis:
- CAP CER 10000PF 500V 1210
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 48119 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.C18BL103X-4UN-X0B.pdf2.C18BL103X-4UN-X0B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 500V |
| Tolerancja: | - |
| Grubość (maks): | 0.100" (2.54mm) |
| Współczynnik temperaturowy: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.120" L x 0.110" W (3.05mm x 2.79mm) |
| Seria: | - |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 1210 (3225 Metric) |
| Inne nazwy: | 1761-1080 C18BL103X-4UN-X0B-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Lead Style: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | High Q, Low Loss |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 10000pF 500V Ceramic Capacitor 1210 (3225 Metric) |
| Pojemność: | 10000pF |
| Aplikacje: | RF, Microwave, High Frequency |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do C18BL103X-4UN-X0B
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił